ZXMN10A25GTA

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Numéro d'article ZXMN10A25GTA
LIXINC Part # ZXMN10A25GTA
Fabricant Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO ZXMN10A25GTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ZXMN10A25GTA Caractéristiques

Numéro d'article:ZXMN10A25GTA
Marque:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.9A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:125mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:859 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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