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Numéro d'article | SQM40010EL_GE3 |
LIXINC Part # | SQM40010EL_GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SQM40010EL_GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SQM40010EL_GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 230 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 17100 pF @ 20 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 375W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | D²PAK (TO-263) |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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En stock | 10895 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.10000 | $3.1 |
800 | $1.72482 | $1379.856 |
1600 | $1.58290 | $2532.64 |
2400 | $1.47374 | $3536.976 |
5600 | $1.41916 | $7947.296 |
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