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PMXB360ENEAZ

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Numéro d'article	PMXB360ENEAZ
LIXINC Part #	PMXB360ENEAZ
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PMXB360ENEAZ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PMXB360ENEAZ Caractéristiques

Numéro d'article:	PMXB360ENEAZ
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.1A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	130 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN1010D-3
paquet / caisse:	3-XDFN Exposed Pad